姓名： 周郁明
導師情況：碩導
學歷：博士
職稱：副教授
郵編：243032

個人基本信息：
周郁明，湖北武漢人，1971年5月出生，分別于2004年和2007年畢業(yè)于華中科技大學微電子學與固體電子學專業(yè)，獲工學碩士和工學博士學位。2007年作為引進人才進入湖南大學物理與微電子科學學院工作，同年底進入湖南大學電氣工程博士后流動站工作，2010年8月調(diào)入安徽工業(yè)大學電氣信息學院，2013年獲國家留學基金委全額資助赴美國奧本大學訪學一年。作為主要研究人員參與了包括國家自然科學基金重點項目在內(nèi)的多項課題，主持完成一項湖南省自然科學基金項目，目前在研一項國家自然科學基金面上項目。以第一作者身份已在《Plasma Science and Technology》、《Chinese Physics B》、《電工技術(shù)學報》等刊物上發(fā)表10余篇論文（其中SCI收錄4篇，EI收錄8篇）。目前感興趣的研究領(lǐng)域包括：（1）新型功率半導體器件及其應(yīng)用技術(shù)；（2）功率器件與功率集成電路；（3）高頻高功率電源技術(shù)。

科研論文及成果：
[1]周郁明．釩補償度對SiC光導開關(guān)特性影響的研究．電子科技大學學報（自然科學版），2012．41（6）：937-940．
[2]Zhou Yuming，Aijin Jin．Effects of Vanadium-compensated Concentration on the Electrical Characteristics of SiC Photoconductive Switches．IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference，2012，6．
[3]Zhou Yuming，He Yigang．Effect of grain boundary on electric performance of ZnO nanowire transistor with a wrap-around gate．Journal of Central South University of Technology，2011，18（4）：1009-1012．
[4]Zhou Yuming，He Yigang．Effect of grain boundary on the characteristics of poly-Si MIS photodetector．International Journal of Modern Physics B，2011，18（4）：2403-2410．
[5]Zhou Yuming，He Yigang．Simulation of grain boundary effect on characteristics of ZnO thin film transistor by considering the location and orientation of grain boundary．Chinese Physics B，2009，18（9）：3966-3969．
[6]周郁明，何怡剛．短脈沖作用下磁開關(guān)的磁場分析．高電壓技術(shù)，2009，35（5）：1118-1121．
[7]周郁明，何怡剛．一種自積分Rogowski線圈波形畸變校正方法的研究．湖南大學學報，2008，35（8）：43-45．
[8]Zhou Yuming，Yu Yuehui．A High Power Semiconductor Switch RSD for Pulsed Power Appications．Plasma Science and Technology，2007，9（5）：622-625．
[9]周郁明，余岳輝．一種高壓RSD開關(guān)觸發(fā)方法設(shè)計．電工技術(shù)學報，2007，22（10）：113-116．
[10]周郁明，余岳輝．高壓RSD開關(guān)諧振觸發(fā)仿真研究．高電壓技術(shù)，2007，33（6）：33-36．
[11]周郁明，余岳輝．超高速大電流半導體開關(guān)實驗研究．強激光與粒子束，2006，18（3）：447-450．
[12]Zhou Yuming，Yu Yuehui．Turn-on Condition and Characteristics of High Power Semiconductor Switch RSD．IEEE 5th International Power Electronics and Motion Control Conference，2006，8，Vol．2．

在研項目：
[1]國家自然科學基金面上項目：高功率4H SiC光導開關(guān)超高耐壓形成方法研究，主持，編號51177003，起止時間：2012．1-2015．12，經(jīng)費：65萬元。

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