大連理工大學數(shù)學科學學院導師：侯中華

發(fā)布時間：2021-11-20 編輯：考研派小莉 推薦訪問：
大連理工大學數(shù)學科學學院導師：侯中華

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大連理工大學數(shù)學科學學院導師：侯中華 正文

[導師姓名]
侯中華

[所屬院校]
大連理工大學

[基本信息]
導師姓名：侯中華
性別：男
人氣指數(shù)：3067
所屬院校：大連理工大學
所屬院系：數(shù)學科學學院
職稱：教授
導師類型：碩導/博導
招生專業(yè)：基礎(chǔ)數(shù)學
研究領(lǐng)域：微分幾何學，黎曼空間和閔可夫斯基空間的子流形理論。



[通訊方式]
電子郵件：zhonghua@dlut.edu.cn

[個人簡述]
黃火林，現(xiàn)任大連理工大學物理與光電工程學院副教授，碩士生導師。2016年入選大連市青年科技之星。2006年本科和2011年博士畢業(yè)于廈門大學物理系，師從半導體探測器領(lǐng)域?qū)＜覅钦平淌?，從事二氧化鈦和碳化硅等寬禁帶半導體材料生長和紫外光電探測器的研制工作。2011年8月至2014年10月在新加坡國立大學（NUS）電機工程系（ECE）從事博后研究工作，合作導師為Y.C.Liang教授，博后期間負責帶領(lǐng)多名博士生開展《高壓高功率硅襯底氮化鎵材料功率電子器件技術(shù)研發(fā)》項目（750W人民幣）。該項目典型成果是獲得+5V閾值電壓和超過1200V擊穿電壓性能的常關(guān)型功率器件，以及基于無金（Au-free）工藝技術(shù)的+2V閾值電壓和600V擊穿電壓的常關(guān)型功率器件，項目指標達到同期國際先進水平。目前主要從事氮化鎵基材料外延生長和電子器件的研制工作，至今已在IEEEElectronDeviceLetters、IEEETransactionsonPowerElectronics等重要學術(shù)期刊和國際會議上發(fā)表學術(shù)論文數(shù)十篇。
主持課題：
1、基于縱向短柵極溝道結(jié)構(gòu)的低導通電阻常關(guān)型GaN基HEMT器件制備研究（國家自然科學基金項目）
2、多重2DEG溝道和凹槽柵組合GaNMOS-HEMT器件的研制（安徽省自然科學研究重大項目）
3、低導通電阻大閾值電壓常關(guān)型AlGaN/GaN基HEMT器件制備研究（遼寧省教育廳項目）
4、常關(guān)型GaN基功率器件的仿真與制作（中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)經(jīng)費--引進人才專項）
代表性論文：
[1]HuolinHuangandY.C.Liang,"Formationofcombinedpartiallyrecessedandmultiplefluorinated-dielectriclayersgatestructuresforhighthresholdvoltageGaN-basedHEMTpowerdevices",Solid-StateElectronics114,148-154(2015).
[2]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Ting-FuChang,andChih-FangHuang,“EffectsofGateFieldPlatesontheSurfaceStateRelatedCurrentCollapseinAlGaN/GaNHEMTs”,IEEETrans.PowerElectron.29,2164-2173(2014).
[3]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andCassandraLowLeeNgo,“Au-FreeNormally-offAlGaN/GaN-on-SiMIS-HEMTsusingCombinedPartiallyRecessedandFluorinatedTrap-ChargeGateStructures”,IEEEElectronDeviceLett.35,569(2014).
[4]HuolinHuang,YannanXie,ZhifengZhang,FengZhang,QiangXu,ZhengyunWu,“GrowthandfabricationofsputteredTiO2basedultravioletdetectors”,Appl.Surf.Sci.293,248-254(2014).
[5]HuolinHuang,YannanXie,WeifengYang,FengZhang,JiafaCai,andZhengyunWu,“Low-Dark-CurrentTiO2MSMUVPhotodetectorswithPtSchottkyContacts”,IEEEElectronDeviceLett.32,530(2011).
[6]HuolinHuang,WeifengYang,YannanXie,XiapingChen,andZhengyunWu,“Metal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorsbasedonTiO2filmsdepositedbyradiofrequencymagnetronsputtering”,IEEEElectronDeviceLett.31,588(2010).
[7]HuolinHuang,ZhonghaoSun,etal.,"Performance-ImprovedNormally-offAlGaN/GaNHigh-ElectronMobilityTransistorswithaDesignedp-GaNAreaundertheRecessedGate",13thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology,2016,October25-28,Hangzhou,China.
[8]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,HongweiLiang,XiaochuanXia,andGuotongDu,"FormationofGateStructurebyMultipleFluorinatedDielectricLayersonPartiallyRecessedBarrierforHighThresholdVoltageAlGaN/GaNPowerHEMTs",11thInternationalConferenceonNitrideSemiconductors(ICNS-11),2015,August30-September4,Beijing,China.
[9]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Chih-FangHuang,andWei-HungKuo,“5VHighThresholdVoltageNormally-offMIS-HEMTswithCombinedPartiallyRecessedandMultipleFluorinated-DielectricLayersGateStructures”,46thSSDM2014,September8-11,2014,Ibaraki,Japan.
[10]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andChih-FangHuang,“DesignofNovelNormally-offAlGaN/GaNHEMTswithCombinedGateRecessandFloatingChargeStructures”,IEEEPEDS2013,April22-25,2013,Kitakyushu,Japan.
[11]HuolinHuang,YungC.Liang,andGaneshS.Samudra,“TheoreticalCalculationandEfficientSimulationsofPowerSemiconductorAlGaN/GaNHEMTs”,IEEEEDSSC2012,December3-5,2012,ChulalongkornUniversity,Bangkok,Thailand.
[12]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,YulingLi,andYee-ChiaYeo,“ModellingandSimulationsonCurrentCollapseinAlGaN/GaNPowerHEMTs”,SISPAD2012,September5-7,2012,Denver,CO,USA.
申請和授權(quán)發(fā)明專利：
[1]具有縱向柵極結(jié)構(gòu)的常關(guān)型HEMT器件及其制備方法
[2]具有三明治柵極介質(zhì)結(jié)構(gòu)的HEMT器件及其制備方法
[3]一種縱向短開啟柵極溝道型HEMT器件及其制備方法
[4]高電子遷移率晶體管制作方法
[5]一種二氧化鈦紫外光電探測器的制備方法

[科研工作]
黃火林，現(xiàn)任大連理工大學物理與光電工程學院副教授，碩士生導師。2016年入選大連市青年科技之星。2006年本科和2011年博士畢業(yè)于廈門大學物理系，師從半導體探測器領(lǐng)域?qū)＜覅钦平淌?，從事二氧化鈦和碳化硅等寬禁帶半導體材料生長和紫外光電探測器的研制工作。2011年8月至2014年10月在新加坡國立大學（NUS）電機工程系（ECE）從事博后研究工作，合作導師為Y.C.Liang教授，博后期間負責帶領(lǐng)多名博士生開展《高壓高功率硅襯底氮化鎵材料功率電子器件技術(shù)研發(fā)》項目（750W人民幣）。該項目典型成果是獲得+5V閾值電壓和超過1200V擊穿電壓性能的常關(guān)型功率器件，以及基于無金（Au-free）工藝技術(shù)的+2V閾值電壓和600V擊穿電壓的常關(guān)型功率器件，項目指標達到同期國際先進水平。目前主要從事氮化鎵基材料外延生長和電子器件的研制工作，至今已在IEEEElectronDeviceLetters、IEEETransactionsonPowerElectronics等重要學術(shù)期刊和國際會議上發(fā)表學術(shù)論文數(shù)十篇。
主持課題：
1、基于縱向短柵極溝道結(jié)構(gòu)的低導通電阻常關(guān)型GaN基HEMT器件制備研究（國家自然科學基金項目）
2、多重2DEG溝道和凹槽柵組合GaNMOS-HEMT器件的研制（安徽省自然科學研究重大項目）
3、低導通電阻大閾值電壓常關(guān)型AlGaN/GaN基HEMT器件制備研究（遼寧省教育廳項目）
4、常關(guān)型GaN基功率器件的仿真與制作（中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)經(jīng)費--引進人才專項）
代表性論文：
[1]HuolinHuangandY.C.Liang,"Formationofcombinedpartiallyrecessedandmultiplefluorinated-dielectriclayersgatestructuresforhighthresholdvoltageGaN-basedHEMTpowerdevices",Solid-StateElectronics114,148-154(2015).
[2]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Ting-FuChang,andChih-FangHuang,“EffectsofGateFieldPlatesontheSurfaceStateRelatedCurrentCollapseinAlGaN/GaNHEMTs”,IEEETrans.PowerElectron.29,2164-2173(2014).
[3]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andCassandraLowLeeNgo,“Au-FreeNormally-offAlGaN/GaN-on-SiMIS-HEMTsusingCombinedPartiallyRecessedandFluorinatedTrap-ChargeGateStructures”,IEEEElectronDeviceLett.35,569(2014).
[4]HuolinHuang,YannanXie,ZhifengZhang,FengZhang,QiangXu,ZhengyunWu,“GrowthandfabricationofsputteredTiO2basedultravioletdetectors”,Appl.Surf.Sci.293,248-254(2014).
[5]HuolinHuang,YannanXie,WeifengYang,FengZhang,JiafaCai,andZhengyunWu,“Low-Dark-CurrentTiO2MSMUVPhotodetectorswithPtSchottkyContacts”,IEEEElectronDeviceLett.32,530(2011).
[6]HuolinHuang,WeifengYang,YannanXie,XiapingChen,andZhengyunWu,“Metal-semiconductor-metalultravioletphotodetectorsbasedonTiO2filmsdepositedbyradiofrequencymagnetronsputtering”,IEEEElectronDeviceLett.31,588(2010).
[7]HuolinHuang,ZhonghaoSun,etal.,"Performance-ImprovedNormally-offAlGaN/GaNHigh-ElectronMobilityTransistorswithaDesignedp-GaNAreaundertheRecessedGate",13thIEEEInternationalConferenceonSolid-StateandIntegratedCircuitTechnology,2016,October25-28,Hangzhou,China.
[8]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,HongweiLiang,XiaochuanXia,andGuotongDu,"FormationofGateStructurebyMultipleFluorinatedDielectricLayersonPartiallyRecessedBarrierforHighThresholdVoltageAlGaN/GaNPowerHEMTs",11thInternationalConferenceonNitrideSemiconductors(ICNS-11),2015,August30-September4,Beijing,China.
[9]HuolinHuang,Yun-HsiangWang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,Chih-FangHuang,andWei-HungKuo,“5VHighThresholdVoltageNormally-offMIS-HEMTswithCombinedPartiallyRecessedandMultipleFluorinated-DielectricLayersGateStructures”,46thSSDM2014,September8-11,2014,Ibaraki,Japan.
[10]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,andChih-FangHuang,“DesignofNovelNormally-offAlGaN/GaNHEMTswithCombinedGateRecessandFloatingChargeStructures”,IEEEPEDS2013,April22-25,2013,Kitakyushu,Japan.
[11]HuolinHuang,YungC.Liang,andGaneshS.Samudra,“TheoreticalCalculationandEfficientSimulationsofPowerSemiconductorAlGaN/GaNHEMTs”,IEEEEDSSC2012,December3-5,2012,ChulalongkornUniversity,Bangkok,Thailand.
[12]HuolinHuang,YungC.Liang,GaneshS.Samudra,YulingLi,andYee-ChiaYeo,“ModellingandSimulationsonCurrentCollapseinAlGaN/GaNPowerHEMTs”,SISPAD2012,September5-7,2012,Denver,CO,USA.
申請和授權(quán)發(fā)明專利：
[1]具有縱向柵極結(jié)構(gòu)的常關(guān)型HEMT器件及其制備方法
[2]具有三明治柵極介質(zhì)結(jié)構(gòu)的HEMT器件及其制備方法
[3]一種縱向短開啟柵極溝道型HEMT器件及其制備方法
[4]高電子遷移率晶體管制作方法
[5]一種二氧化鈦紫外光電探測器的制備方法

[教育背景]
1993.9--1998.3
日本東京工業(yè)大學 微分幾何 博士
大連理工大學

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