大連理工大學(xué)土木工程學(xué)院導(dǎo)師：裴華富 正文

[導(dǎo)師姓名]
裴華富

[所屬院校]
大連理工大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名：裴華富
性別：男
人氣指數(shù)：2231
所屬院校：大連理工大學(xué)
所屬院系：土木工程學(xué)院
職稱：副教授
導(dǎo)師類型：碩導(dǎo)/博導(dǎo)
招生專業(yè)：巖土工程

[通訊方式]
辦公電話：04118470
電子郵件：huafupei@dlut.edu.cn

[個(gè)人簡(jiǎn)述]
1994年7月至今，在大連理工大學(xué)物理學(xué)院工作，為大連理工大學(xué)三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室固定研究人員。作為主要參與者，參加了大連理工常州研究院有限公司和大連理工大學(xué)三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合申請(qǐng)的常州市重大公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)—“材料表面工程技術(shù)與裝備創(chuàng)新服務(wù)平臺(tái)”建設(shè)。
1994年和2000年作為主要參與者，先后完成了兩代電子回旋共振-等離子體增強(qiáng)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（ECR-PEMOCVD）設(shè)備的設(shè)計(jì)和建造工作；2007年1月至6月作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人為北京一公司設(shè)計(jì)建造了ECR-PEMOCVD設(shè)備，并提供了氮化硅薄膜的室溫沉積工藝。
2005年1月至2007年12月作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人完成了兩項(xiàng)國(guó)家自然基金項(xiàng)目和一項(xiàng)遼寧省教育廳項(xiàng)目。1996年今，作為主要參加者還參與了氮化鎵（GaN）基半導(dǎo)體材料PEMOCVD低溫生長(zhǎng)方面的五項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、一項(xiàng)國(guó)家八六三項(xiàng)目（No.715-011-0033）和一項(xiàng)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究（973）專項(xiàng)項(xiàng)目等,在ECR-PEMOCVD設(shè)備的設(shè)計(jì)制造、GaN薄膜的低溫生長(zhǎng)及光電特性研究方面有扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。
主持或參加科研項(xiàng)目及人才計(jì)劃項(xiàng)目情況（按時(shí)間倒序排序）：
1、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，61474013、SiCMOS器件界面缺陷及其鈍化研究、2015/01-2018/12、79萬(wàn)元、在研、參加。
2、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，51102034、GaN納米線陣列的晶體缺陷控制及其光學(xué)特性、2012/01-2014/12、25萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
3、國(guó)家自然科學(xué)基金主任基金，61040058、AlN/自持金剛石厚膜結(jié)構(gòu)高頻聲表面波濾波器的研制、2011/01-2011/12、10萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
4、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，60976006、摻錳InGaN稀磁與中間帶半導(dǎo)體薄膜的制備與特性、2010/01-2010/12、10萬(wàn)元、已結(jié)題、主持。
5、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，60476008、GaN基稀磁半導(dǎo)體量子點(diǎn)的自組織生長(zhǎng)與特性、2004/01-2006/12、24萬(wàn)元、已結(jié)題、主持。
6、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，69976008、自組裝GaN量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的ECR-PAMOCVD生長(zhǎng)與特性、2000/01-2002/12、15.3萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
7、國(guó)家863項(xiàng)目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基藍(lán)綠光激光材料的ECR等離子體輔助低溫生長(zhǎng)、1997/01-2000/12、60萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
8、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，69576003、GaN膜的ECR等離子體輔助MOCVD生長(zhǎng)與特性研究、1996/01-1998/12、11.5萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
近年來發(fā)表的研究論文：
[1]QinFuWen,ZhongMiaomiao,LiuYuemei,WangHui,BianJiming,WangChong,ZhaoYue,ZhangDong,LiQinming.Growthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousCu/glasssubstrateswithlow-temperatureECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics，2014，25（2）：969-973。
[2]QinFuwen,ZhongMiaomiao,WangChong,LiuYuemei,BianJiming,WangEnping,WangHui,ZhangDong.DepositionandcharacteristicsofGaNfilmsonNimetalsubstratebyECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2013,24（12）：5069-5074
[3]QinFuwen,ZhangDong,BaiYizhen,JuZhenhe,LiShuangmei,LiYucai,PangJiaqi,BianJiming.Depositionandpropertiesofhighlyc-orientedofInNfilmsonsapphiresubstrateswithECR-plasma-enhancedMOCVD，RareMetals，2012，31（2）：150-153。
[4]LiuYuemei,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,ZhaoYue,WangEnping,WangShuai,ZhongMiaomiao,JuZhenhe.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedGaNfilmsonCucoatedglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,JournalofCrystalGrowth,2013,368：92-96
[5]DuanZhongwei,QinFuwen,LinGuoqiang,BianJiming,ZhangDong,WangEnping.EffectoftemperatureonGaNfilmsdepositedongraphitesubstratesatlow-temperature，AppliedSurfaceScience,2013,280：909-913
[6]WangEnping,BianJiming,QinFuwen,ZhangDong,LiuYuemei,ZhaoYue,DuanZhongwei,WangShuai.EffectofTMGafluxonGaNfilmsdepositedonTicoatedonglasssubstratesatlowtemperature,ChineseScienceBulletin，2013，58（30）：3617-3623
[7]ZhaoYue,QinFuwen,BaiYizhen,JuZhenhe,ZhaoYan,ZhangXiaohui,LiShuangmei,ZhangDong,BianJiming,LiYang.LowtemperaturesynthesisofGaNfilmsonITOsubstratesby
ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80
[8]LiuW.F.,LuoY.L.,SangY.C.,BianJ.M.,ZhaoY.,LiuY.H.,QinFuwen.AdjustedsurfaceworkfunctionofInNfilmsannealedatvacuumandathigh-pressureN-2conditions，Materials
Letters,2013,95：135-138。
[9]ZhangDong,QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD，DiamondandRelatedMaterials,2012,21：88-91
[10]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[11]ZhangDong，QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD,DiamondandRelatedMaterials,2012,21（0）：88-91。
[12]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[13]LiuBingbing,WangDejun,QinFuwen.EnhancedTiC-SiCOhmiccontactsbyECRhydrogenplasmapretreatmentandlow-temperaturepost-annealing,AppliedSurfaceScience,2015,355（20）：59-63
[14]Zhong,M.M.,QinFuwen,LiuY.M.,WangC.,BianJ.M.,WangE.P.,WangH.,ZhangD.,Low-temperaturegrowthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousNi/glasssubstrateswithECR-PEMOCVD，JournalofAlloysandCompounds，2014，583：39-42
[15]ZhuQiaozhi,QinFuwen,LiWenbo，WangDejun.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterfacewithelectroncyclotronresonancemicrowavenitrogenplasmapost-oxidationannealing,PhysicaB:CondensedMatter,2014,432：89-95
授權(quán)發(fā)明專利
[1]秦福文，林國(guó)強(qiáng)，劉勤華，金屬基片垂直GaN基LED芯片及其制備方法，2014.12.17，中國(guó)，ZL201210247142.9。
[2]秦福文，林國(guó)強(qiáng)，劉勤華，采用金屬基片制備垂直GaN基LED芯片的設(shè)備，2014.12.17，中國(guó)，ZL201210247144.8。

[科研工作]
作為主要參與者，參加了大連理工常州研究院有限公司和大連理工大學(xué)三束材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合申請(qǐng)的常州市重大公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)—“材料表面工程技術(shù)與裝備創(chuàng)新服務(wù)平臺(tái)”建設(shè)。
1994年和2000年作為主要參與者，先后完成了兩代電子回旋共振-等離子體增強(qiáng)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（ECR-PEMOCVD）設(shè)備的設(shè)計(jì)和建造工作；2007年1月至6月作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人為北京一公司設(shè)計(jì)建造了ECR-PEMOCVD設(shè)備，并提供了氮化硅薄膜的室溫沉積工藝。
2005年1月至2007年12月作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人完成了兩項(xiàng)國(guó)家自然基金項(xiàng)目和一項(xiàng)遼寧省教育廳項(xiàng)目。1996年今，作為主要參加者還參與了氮化鎵（GaN）基半導(dǎo)體材料PEMOCVD低溫生長(zhǎng)方面的五項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、一項(xiàng)國(guó)家八六三項(xiàng)目（No.715-011-0033）和一項(xiàng)國(guó)家重大基礎(chǔ)研究（973）專項(xiàng)項(xiàng)目等,在ECR-PEMOCVD設(shè)備的設(shè)計(jì)制造、GaN薄膜的低溫生長(zhǎng)及光電特性研究方面有扎實(shí)的理論基礎(chǔ)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。
主持或參加科研項(xiàng)目及人才計(jì)劃項(xiàng)目情況（按時(shí)間倒序排序）：
1、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，61474013、SiCMOS器件界面缺陷及其鈍化研究、2015/01-2018/12、79萬(wàn)元、在研、參加。
2、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，51102034、GaN納米線陣列的晶體缺陷控制及其光學(xué)特性、2012/01-2014/12、25萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
3、國(guó)家自然科學(xué)基金主任基金，61040058、AlN/自持金剛石厚膜結(jié)構(gòu)高頻聲表面波濾波器的研制、2011/01-2011/12、10萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
4、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，60976006、摻錳InGaN稀磁與中間帶半導(dǎo)體薄膜的制備與特性、2010/01-2010/12、10萬(wàn)元、已結(jié)題、主持。
5、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，60476008、GaN基稀磁半導(dǎo)體量子點(diǎn)的自組織生長(zhǎng)與特性、2004/01-2006/12、24萬(wàn)元、已結(jié)題、主持。
6、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，69976008、自組裝GaN量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的ECR-PAMOCVD生長(zhǎng)與特性、2000/01-2002/12、15.3萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
7、國(guó)家863項(xiàng)目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基藍(lán)綠光激光材料的ECR等離子體輔助低溫生長(zhǎng)、1997/01-2000/12、60萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
8、國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，69576003、GaN膜的ECR等離子體輔助MOCVD生長(zhǎng)與特性研究、1996/01-1998/12、11.5萬(wàn)元、已結(jié)題、參加。
近年來發(fā)表的研究論文：
[1]QinFuWen,ZhongMiaomiao,LiuYuemei,WangHui,BianJiming,WangChong,ZhaoYue,ZhangDong,LiQinming.Growthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousCu/glasssubstrateswithlow-temperatureECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics，2014，25（2）：969-973。
[2]QinFuwen,ZhongMiaomiao,WangChong,LiuYuemei,BianJiming,WangEnping,WangHui,ZhangDong.DepositionandcharacteristicsofGaNfilmsonNimetalsubstratebyECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2013,24（12）：5069-5074
[3]QinFuwen,ZhangDong,BaiYizhen,JuZhenhe,LiShuangmei,LiYucai,PangJiaqi,BianJiming.Depositionandpropertiesofhighlyc-orientedofInNfilmsonsapphiresubstrateswithECR-plasma-enhancedMOCVD，RareMetals，2012，31（2）：150-153。
[4]LiuYuemei,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,ZhaoYue,WangEnping,WangShuai,ZhongMiaomiao,JuZhenhe.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedGaNfilmsonCucoatedglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,JournalofCrystalGrowth,2013,368：92-96
[5]DuanZhongwei,QinFuwen,LinGuoqiang,BianJiming,ZhangDong,WangEnping.EffectoftemperatureonGaNfilmsdepositedongraphitesubstratesatlow-temperature，AppliedSurfaceScience,2013,280：909-913
[6]WangEnping,BianJiming,QinFuwen,ZhangDong,LiuYuemei,ZhaoYue,DuanZhongwei,WangShuai.EffectofTMGafluxonGaNfilmsdepositedonTicoatedonglasssubstratesatlowtemperature,ChineseScienceBulletin，2013，58（30）：3617-3623
[7]ZhaoYue,QinFuwen,BaiYizhen,JuZhenhe,ZhaoYan,ZhangXiaohui,LiShuangmei,ZhangDong,BianJiming,LiYang.LowtemperaturesynthesisofGaNfilmsonITOsubstratesby
ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80
[8]LiuW.F.,LuoY.L.,SangY.C.,BianJ.M.,ZhaoY.,LiuY.H.,QinFuwen.AdjustedsurfaceworkfunctionofInNfilmsannealedatvacuumandathigh-pressureN-2conditions，Materials
Letters,2013,95：135-138。
[9]ZhangDong,QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD，DiamondandRelatedMaterials,2012,21：88-91
[10]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[11]ZhangDong，QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD,DiamondandRelatedMaterials,2012,21（0）：88-91。
[12]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[13]LiuBingbing,WangDejun,QinFuwen.EnhancedTiC-SiCOhmiccontactsbyECRhydrogenplasmapretreatmentandlow-temperaturepost-annealing,AppliedSurfaceScience,2015,355（20）：59-63
[14]Zhong,M.M.,QinFuwen,LiuY.M.,WangC.,BianJ.M.,WangE.P.,WangH.,ZhangD.,Low-temperaturegrowthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousNi/glasssubstrateswithECR-PEMOCVD，JournalofAlloysandCompounds，2014，583：39-42
[15]ZhuQiaozhi,QinFuwen,LiWenbo，WangDejun.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterfacewithelectroncyclotronresonancemicrowavenitrogenplasmapost-oxidationannealing,PhysicaB:CondensedMatter,2014,432：89-95
授權(quán)發(fā)明專利
[1]秦福文，林國(guó)強(qiáng)，劉勤華，金屬基片垂直GaN基LED芯片及其制備方法，2014.12.17，中國(guó)，ZL201210247142.9。
[2]秦福文，林國(guó)強(qiáng)，劉勤華，采用金屬基片制備垂直GaN基LED芯片的設(shè)備，2014.12.17，中國(guó)，ZL201210247144.8。

[教育背景]
2013.4-2016.1香港科技大學(xué)土木工程博士后2009.3-2012.3香港理工大學(xué)土木與環(huán)境工程博士2006.9-2008.12哈爾濱工業(yè)大學(xué)結(jié)構(gòu)工程碩士2002.9-2006.7東北農(nóng)業(yè)大學(xué)水利水電工程學(xué)士1998.9-2002.7安丘市第四中學(xué)

大連理工大學(xué)

本文來源：http://www.lyhuahuisp.com/dalianligongdaxue/daoshi_519472.html