夏從新 ：男，漢族，1979年10月，河南永城人。副教授，碩士生導師。2004年6月畢業(yè)于河南師范大學物理與信息工程學院，獲碩士學位，留校從事教學和科研工作。2007年7月晉升講師，2010年11月破格晉升副教授。

教學工作：
主要承擔《固體物理》（春季），《普通物理》（秋季）的本科生教學工作。

研究領域：
主要從事半導體光電子學及器件的理論研究和設計。迄今為止，已在J．Appl．Phys 和J．Opt．Soc．Am．B等SCI源期刊上發(fā)表論文40余篇。近期研究興趣：
1）寬帶隙半導體材料中光電性質(zhì)的理論研究。
2）III族氮化物半導體基光電子器件的理論模擬和設計。
3）低維半導體結構的量子調(diào)控。
4）高效太陽能電池材料的理論模擬。

國家級項目：
主持國家自然科學基金項目“GaN基量子結構的非線性光學性質(zhì)”[批準號：60906044，22萬，2010．1—2012．12]。

近期代表性文章：
[1] Electric field effects on optical properties in zinc-blende InGaN/GaN quantum dot
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Luminscence，131（2011）623．
[2]Effects of laser field and electric field on impurity states in zinc-blende GaN/AlGaN quantum well
Congxin Xia，Yanping Zhu，Shuyi Wei
Physics Letters A 375（2011）2652
[3]Nonlinear Franz-Keldysh effect：two photon absorption in a semiconducting quantum well
Congxin Xia，H． N． Spector
Journal of the Optical Society of America B 27（2010）1571．
[4]Electron and impurity states in GaN/AlGaN coupled quantum dots：Effects of electric field and hydrostatic pressure
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 108（2010）054307．
[5]Shallow-donor impurity in zinc-blende InGaN/GaN asymmetric coupled quantum dots：effect of electric field
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 107（2010）054305．
[6]Effects of applied electric field and hydrostatic pressure on donor impurity states in cylindrical GaN/AlN quantum dot
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 107（2010）014305
[7] Nonlinear Franz-Keldysh effect：two photon absorption in semiconducting quantum wires and quantum boxes
Congxin Xia，H． N．Spector
Journal of Applied Physics 106（2009）124302/1-6．
（selected for the Vo1．21，No．1 of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology）
[8] Franz-Keldy effect in the interband optical absorption of semiconducting nanostructures
Congxin Xia，H． N．Spector
Journal of Applied Physics 105（2009）084313．
[9] Barrier width dependence of the donor binding energy of hydrogenic impurity in wurtzite InGaN/GaN quantum dot
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Journal of Applied Physics 106（2009）094301．
[10]Electric field effect on the donor impurity states in zinc-blende symmetric InGaN/GaN coupled quantum dots
Congxin Xia，Zaiping Zeng，Shuyi Wei
Physics Letters A 374（2009）97．

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