山東大學(xué)物理學(xué)院導(dǎo)師:林兆軍

發(fā)布時(shí)間:2021-10-09 編輯:考研派小莉 推薦訪(fǎng)問(wèn):
山東大學(xué)物理學(xué)院導(dǎo)師:林兆軍

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山東大學(xué)物理學(xué)院導(dǎo)師:林兆軍 正文


  姓名: 林兆軍
  職稱(chēng): 教授
  Email: linzj@sdu.edu.cn
  電話(huà): 0531-88363700
  地址: 濟(jì)南山東大學(xué)物理學(xué)院

  學(xué)歷
  1980.9~1984.7: 河北大學(xué)電子系學(xué)習(xí)獲學(xué)士學(xué)位.
  1985.9~1988.7: 河北大學(xué)電子系學(xué)習(xí)獲碩士學(xué)位. 碩士論文內(nèi)容是有關(guān)激光輔助擴(kuò)散制備淺結(jié)二極管和三極管研究.
  1994.9~1997.7: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所學(xué)習(xí)獲博士學(xué)位. 博士論文內(nèi)容是半導(dǎo)體量子點(diǎn)制備和性質(zhì)研究.
  
  科研工作經(jīng)歷
  1988.9~1994.7: 河北大學(xué)電子系從事教學(xué)和科研工作.
  1997.9~1999.9: 北京大學(xué)微電子所做博士后研究, 研究GaN電子器件的制備工藝和器件特性.
  1999.10~2000.9: 在加拿大的McMaster University做研究,開(kāi)展了InGaAsP-InP多量子阱激光器的研究工作。
  2000.9月~2002.3: 在美國(guó)Northwestern University繼續(xù)研究工作,研究工作包括:GaInAs/AlInAs量子級(jí)聯(lián)激光、GaN基蘭激光和發(fā)光管。
  2002.3~2003.9: 在美國(guó)Ohio State University,從事了AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)肖特基接觸及場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研制工作。
  2003.12~現(xiàn)在: 山東大學(xué)物理學(xué)院工作.
  
  研究領(lǐng)域
  AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管研究
  近些年來(lái),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(AlGaN/GaN HFET)一直作為半導(dǎo)體電子器件研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)而引起人們的廣泛關(guān)注和極大興趣。AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的肖特基接觸是AlGaN/GaN HFET的重要組成部分,肖特基接觸金屬對(duì)AlGaN勢(shì)壘層應(yīng)變影響的機(jī)理至今還不清楚,而肖特基接觸金屬對(duì)AlGaN勢(shì)壘層應(yīng)變的影響將改變AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)二維電子氣密度等相關(guān)參數(shù),由此對(duì)AlGaN/GaN HFET器件特性產(chǎn)生重要影響。我們的研究擬在通過(guò)AlGaN勢(shì)壘層面極化電荷密度的分析計(jì)算,獲取肖特基接觸金屬對(duì)AlGaN勢(shì)壘層應(yīng)變影響的信息,研究肖特基金屬電子與AlGaN勢(shì)壘層界面相互作用的機(jī)制,建立肖特基金屬對(duì)AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)AlGaN勢(shì)壘層應(yīng)變影響的作用模型,以此推動(dòng)GaN基電子器件研究的深入和發(fā)展。該研究包括器件制備、器件特性測(cè)試和器件特性分析.
  低維半導(dǎo)體材料與器件研究
  用物理或化學(xué)方法制備低維半導(dǎo)體材料, 通過(guò)微電子微細(xì)加工工藝將其制備成低維器件, 研究該材料體系的電子能態(tài)結(jié)構(gòu)、聲子能態(tài)結(jié)構(gòu)、載流子輸運(yùn)及器特性.
  SenTaurus-Device模擬分析半導(dǎo)體器件特性
  利用SenTaurus-Device (業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)器件的仿真)仿真工具,模擬分析新型半導(dǎo)體器件的器件特性,諸如電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)和頻率特性等.
  
  承擔(dān)科研項(xiàng)目
  1. 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目:肖特基接觸金屬對(duì)AlGaN勢(shì)壘層應(yīng)變影響研究, 項(xiàng)目號(hào):10774090, 金額:30.00萬(wàn)元,研究期限:2008.01-2010.12. 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人:林兆軍
  2. 參與項(xiàng)目, 納米材料表面生化修飾與POPS的選擇性富 集;2007CB936602;973項(xiàng)目;2007年-2011年。參與者:林兆軍
  
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