西華大學材料科學與工程學院導師：金應榮 正文

　　
　　姓名：金應榮　性別：男
　　職稱：教授　學院：材料科學與工程學院
　　
　　男，工學博士。1985年畢業(yè)于重慶大學冶金及材料工程系，1988年到四川航天公司工作，1999年到四川大學大學攻讀博士學位，2002年到西華大學工作，現(xiàn)為西華大學材料科學與工程學院 副院長、研究員、碩士生導師。
　　
　　【聯(lián)系方式】
　　School of Materials Science and Engineering, Xihua University, Chengdu 610039, China
　　西華大學材料科學與工程學院，四川 成都，610039
　　聯(lián)系電話：028-87720514
　　傳真：(8628)-87720514
　　E-mail：Jinry@mail.xhu.edu.cn
　　
　　教育背景
　　1981.09-1985.07 重慶大學 冶金及材料工程系 工學學士
　　1985.09-1988.07 哈爾濱工業(yè)大學 材料系 工學碩士
　　1999.09-2002.06 四川大學 材料科學與工程學院 工學博士

　　工作履歷
　　1988.07-1999.08 四川航天公司 先后擔任助理工程師，工程師和高級工程師
　　2002.06-今 西華大學 先后擔任研究生部副部長，材料科學與工程學院副院長
　　
　　研究領(lǐng)域：光電子材料與器件，半導體材料與器件
　　
　　【科研項目】
　　1) 鋁酸鹽長余輝發(fā)光材料，西華大學人才基金，2002.07－2007.05，負責
　　2) 優(yōu)質(zhì)碘化鉛單晶體生長及碘化鉛探測器研制，四川省教育廳重點項目，2007.01-2008.12，負責
　　3) CoO2/Ca2CoO3超晶格熱電材料的界面穩(wěn)定性研究，教育部春暉計劃項目，2006.12-2009.12，負責
　　4) 具有大面積pn結(jié)的U型熱電發(fā)電器研究，教育部春暉計劃項目，2010.12-2012.12，負責
　　
　　研究概況：主要從事光電子材料與器件和半導體材料與器件方面的研究工作，在光電子材料的制備方面取得一定進展。發(fā)表文章30多篇。獲得授權(quán)中國發(fā)明專利2項。學術(shù)創(chuàng)新點如下：
　　1〕觀察到了碘化鉛熔體與液態(tài)鉛分層的現(xiàn)象，修訂了Pb-I相圖，提出了生長碘化鉛單晶體的新方法；
　　2）在Ca3Co4O9熱電材料的常溫常壓致密化燒結(jié)方面取得了一定進展。
　　
　　主講課程：主講《材料制備技術(shù)》、《功能材料與智能材料》等。
　　
　　學術(shù)成果
　　【論文與專利】
　　1 Yi He, Shifu Zhu, Beijun Zhao, Yingrong Jin, Zhiyu He, Baojun Chen, Improved growth of PbI2 single crystals, Journal of Crystal Growth, Volume 300, Issue 2, March 2007, Pages 448-451
　　2 Zhu, X. H., Wei, Z. R, Jin, Y. R.; Xiang A. P., Growth and characterization of a PbI2 single crystal used for gamma ray detectors, Crystal Research and Technology, Volume 42, Issue 5, March 2007, Pages 456-459
　　3 金應榮，朱世富，趙北君，陳松林，何福慶，CdSe核輻射探測器中的MIS接觸電極，半導體學報，25卷，2004年，1301-1305
　　4 李麗霞，金應榮，賀毅，趙欣，U型坩堝內(nèi)碘化鉛熔體中的氣泡分析，西華大學學報(自然科學版)，27卷，2008年5月，56-57,68
　　5 金應榮，李麗霞，賀毅，朱興華，U型坩堝上升法生長碘化鉛單晶體，西華大學學報(自然科學版)，26卷，2007年1月，31-32
　　6 王鵬飛，金應榮，魯云，劉磊，陳建文，王琴，溫差對CaMnO3和Ca3Co4O9熱電器件輸出功率的影響，西華大學學報(自然科學版)，30卷，2011年3月，78-81
　　7 趙欣，金應榮，朱興華，垂直布里奇曼法生長碘化鉛單晶體，材料科學與工藝，14卷，2006年8月，428-431
　　8 金應榮，朱興華，賀毅，朱世富，趙北君，欒道成，用碘化鉛熔體生長單晶體的方法，發(fā)明專利，Zl200610020393.8
　　9 金應榮，周華，欒道成，劉錦云，賀毅，牛天梅，曾啟，趙遠東，旋轉(zhuǎn)式高精度氣密性檢測裝置，發(fā)明專利，ZL200810147942.7
　　 
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