姓　　名： 劉益春 性別： 男

出生年月： 1963-1-24 工作單位： 東北師范大學(xué)

所在院系： 物理學(xué)院 職稱： 教授

行政職務(wù)： 招生專業(yè)： 070205凝聚態(tài)物理

研究領(lǐng)域： 先進(jìn)薄膜制備技術(shù)生長具有紫外發(fā)射光電子功能的高質(zhì)量ZnO量子點(diǎn)、量子阱、納米管材料，開展材料的物性與器件研究 是否兼職： 否

指導(dǎo)博士生總數(shù)： 指導(dǎo)碩士生總數(shù)：

目前博士生數(shù)： 目前碩士生數(shù)：

個人簡介

【個人情況綜述】 　　東北師范大學(xué)物理學(xué)院教授, 理學(xué)博士, 博士生導(dǎo)師；中國科學(xué)院百人計(jì)劃學(xué)者，中國科學(xué)院研究生院教授；教育部跨世紀(jì)優(yōu)秀人才，2000年獲國務(wù)院政府特殊津貼，2001年度全國模范教師；1999年首屆吉林省杰青；2003年獲中國科學(xué)院優(yōu)秀百人計(jì)劃；2005年獲吉林省高級專家。中國科學(xué)院長春光學(xué)機(jī)密機(jī)械與物理研究所學(xué)位委員會委員。中國物理學(xué)會發(fā)光專業(yè)委員會常委，中國光學(xué)學(xué)會纖維光學(xué)與集成光學(xué)專業(yè)委員會委員，吉林省物理學(xué)會凝聚態(tài)專業(yè)委員會副主任委員，吉林省人民政府政務(wù)信息化咨詢專家組成員，吉林省信息產(chǎn)業(yè)廳顧問；《發(fā)光學(xué)報(bào)》副主編，《物理實(shí)驗(yàn)》雜志副主編；《人工晶體學(xué)報(bào)》雜志編委。《中國物理快報(bào)》特約評審，美國《物理化學(xué)雜志》、美國《材料研究雜志》、荷蘭《晶體生長雜志》、荷蘭《應(yīng)用物理雜志》、《高校化學(xué)學(xué)報(bào)》、《中國光學(xué)快報(bào)》等雜志審稿人。2000年6月起任物理系教授委員會主任，2003年5月任物理系系主任，兼任東北師范大學(xué)光電子功能材料研究中心主任。2004年1月，任東北師范大學(xué)副校長。主要從事寬帶隙II-VI光電子功能材料與器件的研究工作。 　　【學(xué)習(xí)工作簡歷】 　　1981—1985：東北師范大學(xué)物理系學(xué)習(xí)，獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位。 　　1985—1988：中科院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所（原長春物理所）凝聚態(tài)物理專業(yè)學(xué)習(xí)，獲理學(xué)碩士學(xué)位。 　　1988—現(xiàn)在：東北師范大學(xué)物理系工作。 　　1992—1995：中科院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所（原長春物理所）與意大利都靈工業(yè)大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士，1995獲理學(xué)博士學(xué)位。1992年破格晉升為副教授。 　　1994.4—1995.8：作為聯(lián)合培養(yǎng)的博士生，在意大利都靈工業(yè)大學(xué)物理系從事非晶態(tài)材料的合作研究。博士論文獲橫山明聰獎。 　　1996—1998：吉林大學(xué)化學(xué)博士后流動站從事納米電子學(xué)的研究工作。 　　1998年晉升為教授。 　　1996.4—1997.8：日本九州大學(xué)先端科學(xué)技術(shù)共同研究中心進(jìn)行博士后研究。 　　2000—2003：中國科學(xué)院百人計(jì)劃學(xué)者。 　　2004.1—現(xiàn)在：東北師范大學(xué)副校長。

獲得獎項(xiàng)

1996年獲橫山明聰獎金； 　　1998年獲長春市“十大”杰出青年提名獎； 　　1999年教育部優(yōu)秀教師基金； 　　1999年入選首屆吉林省杰出青年研究計(jì)劃； 　　2000年獲國務(wù)院政府津貼； 　　2001年獲國家教育部和國家人事部共同頒發(fā)的全國模范教師榮譽(yù)稱號和獎?wù)拢? 　　2001年度獲長春市優(yōu)秀共產(chǎn)黨員； 　　2003年獲中國科學(xué)院優(yōu)秀“百人計(jì)劃”； 　　2005年獲吉林省高級專家。

著作及論文

主要從事寬禁帶半導(dǎo)體光電子材料與器件的研究工作。針對ZnO研究中存在的獲得高質(zhì)量ZnO單晶薄膜、p-型ZnO摻雜困難；非極性材料上生長極性ZnO材料存在的界面電荷失衡問題; 探究ZnO深缺陷的可見區(qū)發(fā)光機(jī)制并實(shí)現(xiàn)其控制；制備低維ZnO量子點(diǎn)材料、實(shí)現(xiàn)ZnO量子點(diǎn)陣列的自組織生長；利用低維結(jié)構(gòu)的量子限域效應(yīng)增強(qiáng)ZnO的激子發(fā)光。針對這些熱點(diǎn)、難點(diǎn)和基本問題，開展了一些有鮮明特色的創(chuàng)新性研究工作。共在Advanced Mater., Phys. Rev.B., J.Chem.Phys., J.Phys.Chem., Appl. Phys. Lett, J. Appl. Phys等國際雜志上發(fā)表論文60余篇, SCI論文他引120余次，獲國家發(fā)明專利1項(xiàng)。 　　在國際上首次提出了無形變sp2π-Cluster是發(fā)光中心的觀點(diǎn)。提出了N進(jìn)入sp3 網(wǎng)絡(luò)引起配位數(shù)減少導(dǎo)致應(yīng)力釋放的重要結(jié)果；提出了N的橋作用以及sp2π-Cluster團(tuán)簇及其它的各種形變決定能隙的大小。在國際上首次提出并證實(shí)了N進(jìn)入a-C:H網(wǎng)絡(luò)中引起C-H鍵的弱化和網(wǎng)絡(luò)的不穩(wěn)定性。主要反映在摻氮后易于引起sp3網(wǎng)絡(luò)再構(gòu)及C-H鍵的弱化。為進(jìn)一步研究N在a-C:N:H中的作用和探索a-C:H材料在光電子器件中的應(yīng)用具有重要的意義，引起了國際同行的關(guān)注和引用。這些觀點(diǎn)和結(jié)論被國際同行學(xué)者接受和引用。我們關(guān)于氮進(jìn)入sp3網(wǎng)絡(luò)引起應(yīng)力釋放的物理原因及其與無形變sp2 π-Cluster發(fā)光中心的關(guān)系，為用發(fā)光方法研究高壓誘導(dǎo)碳氮結(jié)構(gòu)相變提供了理論依據(jù)。兩篇論文SCI他引43次，其引用有Anal Chem., Phys. Rev.B, Appl. Phys. Lett, J. Appl. Phys., Solid State Commun., J. Phys., 等國際著名雜志，研究工作得到國際同行的認(rèn)可，總體研究達(dá)到國際先進(jìn)水平。 　　發(fā)明了用濺射型電子回旋共振(ECR)微波等離子體氮化技術(shù)在低溫、低壓下獲得了高質(zhì)量SiN薄膜的方法，2003年獲得1項(xiàng)國家發(fā)明專利。針對研究和表征膜厚小于10 nm的SiO2的困難，根據(jù)縱向光學(xué)聲子對P偏振紅外強(qiáng)烈吸收的原理，建立和發(fā)展了利用P偏振紅外反射吸收光譜表征超薄SiO2的方法。利用偶氮染料和電子推拉型偶氮染料摻雜聚合物薄膜，實(shí)現(xiàn)了可擦除光存儲，在一個光斑內(nèi)存五幅全息圖象的創(chuàng)新工作。在J.Appl.Phys., Phili.Mag.B, Appl.Phys.Lett., Optics Lett., Optical Commun.,等國際SCI雜志上發(fā)表論文20余篇，SCI他引21次，其中有國際著名雜志Chem. Rev. 102，(2002), Appl. Phys. Lett, 81, 2002, J. Appl. Phys. (2002)，J. Chem. Phys.109, (1998)等雜志。 　　先后主持教育部回國人員啟動基金、教育部重點(diǎn)科學(xué)技術(shù)項(xiàng)目、吉林省自然科學(xué)基金、教育部優(yōu)秀教師資助項(xiàng)目、首屆吉林省杰出青年科學(xué)研究計(jì)劃、中國科學(xué)院“百人計(jì)劃”項(xiàng)目?，F(xiàn)主持國家自然科學(xué)基金2項(xiàng)，教育部跨世紀(jì)優(yōu)秀人才項(xiàng)目，國家“十五”“863”高技術(shù)課題子課題1項(xiàng)。作為課題副組長參加國家自然科學(xué)重點(diǎn)基金1項(xiàng)，參加國家“863”高技術(shù)課題1項(xiàng)。 　　近年來共發(fā)表SCI論文80余篇，SCI論文他引200余次，獲國家發(fā)明專利2項(xiàng)。2000年應(yīng)邀在中韓關(guān)于半導(dǎo)體物理與器件雙邊國際會議上作了“熱處理高能Zn離子注入SiO2材料制備ZnO量子點(diǎn)”的邀請報(bào)告。2003年美國材料研究學(xué)會關(guān)于Nanostructuring Materials with Energetic Beams主題學(xué)術(shù)討論會口頭報(bào)告。2003年美國材料研究學(xué)會關(guān)于New Applications for Wide-Bandgap Semiconductors主題學(xué)術(shù)討論會口頭報(bào)告。2002年在第八屆全國固體薄膜會議上應(yīng)邀作大會特邀報(bào)告。2003在首屆全國ZnO學(xué)術(shù)會議上作大會邀請報(bào)告。2005在第二屆全國ZnO學(xué)術(shù)會議上作邀請報(bào)告。

承擔(dān)項(xiàng)目

1．中國科學(xué)院百人計(jì)劃研究項(xiàng)目（200萬）（主持）：紫外發(fā)射光電子材料與器件的研究。 　　2．國家自然科學(xué)技術(shù)基金項(xiàng)目（20萬）（主持）：SiO2基質(zhì)中ZnO量子點(diǎn)薄膜藍(lán)紫色交流電致發(fā)光器件研究。 　　3．教育部跨世紀(jì)人才基金（30萬）（主持）：ZnO納米粒子表面增強(qiáng)多聲子喇曼線在生物分子識別中的應(yīng)用。 　　4．國家“863”課題（100萬）（學(xué)術(shù)負(fù)責(zé)人）：ZnO激光二極管研制和紫外激射的研究。 　　5．國家“十五”“863”子項(xiàng)目（主持）（30萬）：基于納米生物探針的免疫層析檢測技術(shù)。 　　6．中國科學(xué)院重大項(xiàng)目（150萬）（學(xué)術(shù)負(fù)責(zé)人）：量子點(diǎn)熒光生物光纖探針基礎(chǔ)研究。