深圳技術(shù)大學(xué)新材料與新能源學(xué)院導(dǎo)師：李順樸 正文

李順樸 特聘教授

個(gè)人介紹：
李順樸，博士，特聘教授。分別在1987年和1990年于蘭州大學(xué)物理系獲學(xué)士和碩士學(xué)位，1993年于中科院物理所獲得博士學(xué)位（與前蘇聯(lián)科學(xué)院金屬物理所合作培養(yǎng)）后留所工作任助理研究員。1998年至2002年在劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室和納米中心做博士后研究。 于2003年開(kāi)始從事工業(yè)研究，先后在EPSON（愛(ài)普生）劍橋?qū)嶒?yàn)室，劍橋顯示技術(shù)公司，丁達(dá)爾國(guó)家研究院任高級(jí)研究員和高級(jí)工程師。 于2013獲歐共體科研基金資助在劍橋大學(xué)工程系任瑪麗亞-居里高級(jí)研究員。研究工作涉及多個(gè)領(lǐng)域，包括自旋電子器件與磁存儲(chǔ)介質(zhì)，半導(dǎo)體物理與器件，微/納米材料加工等。獲發(fā)明專利27項(xiàng)，參與了三部專著的撰寫(xiě)，作為第一或通訊作者在各種權(quán)威刊物上(Nature, Advanced Materials, Physical Review Letters etc.)發(fā)表論文60多篇。 主持過(guò)歐洲國(guó)家級(jí)項(xiàng)目?jī)身?xiàng)，歐共體項(xiàng)目一項(xiàng)。

教育背景：
1990.09-1993.06    中科院物理所，博士研究生
1987.09-1990.06    蘭州大學(xué)，物理系，碩士
1983.09-1987.06    蘭州大學(xué)，物理系，本科

工作經(jīng)歷：
2018.11-至今       深圳技術(shù)大學(xué)，新材料與新能源學(xué)院，特聘教授
2013.01-2018.11    劍橋大學(xué)，工程系，瑪麗亞-居里高級(jí)研究員
2009.02-2012.11    丁達(dá)爾國(guó)家研究院，高級(jí)研究員
2008.01-2009.01    劍橋顯示技術(shù)公司，高級(jí)工程師
2003.03-2007.12    愛(ài)普生劍橋?qū)嶒?yàn)室，高級(jí)研究員
1998.07-2003.02    劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室/納米中心，博士后
1993.09-1998.07    中科院物理所，助理研究員

研究方向：
1. 磁性薄膜與磁存儲(chǔ)器件
2. 有機(jī)半導(dǎo)體器件（OTFT，OLED，OPV）
3. 微納加工技術(shù)（光刻，納米壓印，軟刻，自組裝）

科研項(xiàng)目：
1. 聚合物有機(jī)半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管及其在柔性顯示中的應(yīng)用,廣東省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，2019A1515011673，2019-2022.
2. Self-aligned high-resolution organic ferroelectric transistor based complementary memory, EU FP7, 301028, 2013-2015.
3. Textured dye sensitized solar cell, Enterprise Ireland, CF/2011/1616, 2011- 2013.
4. A novel process for printed electronics: all self-aligned, printed thin film transistors defined by embossed triple banks,Enterprise Ireland, PC/2009/0215, 2009-2011.

代表論文：
1. E. Tan, P. Shrestha, A. Pansare, S. Chakrabarti, S. Li, D. Chu, C. Lowe, A. Nagarkar. Density modulation of embedded nano-particles via spatial Adv. Mater. 51, 1901802 (2019)
2. S. Li et al. Two-dimensional arrays self-assembled via interference of concentration modulation waves in drying solutions Materials Horizons 6，507 (2019).
3. S. Li et al. High-resolution patterning of solution-processable materials via externally engineered pinning of capillary bridges Nat. Commun. 9, 393(2018).
4. J. Wu, Y. T. Chun, S. Li et al. Broadband MoS₂ field-effect phototransistors: ultrasensitive visible-light photoresponse and negative infrared photoresponse Adv. Mater. 30,1705880(2018).
5. W. Liu, L. He, Y. Xu, K. Murata, M. Onbasli, M. Lang, N. Maltby, S. Li, X. Wang et al. Enhancing magnetic ordering in Cr-doped Bi₂Se₃using high-T_C ferrimagnetic insulator Nano Lett. 15, 764 (2015).
6. S. Li, W. Chen, D. Chu, S. Roy. Self-aligned, high resolution printed polymer transistors Adv. Mater. 23, 4107 (2011).
7. W. S. Lew, S. Li, L. Lopez-diaz et al. Mirror domain structure induced by interlayer magnetic wall coupling Phys. Rev. Lett. 90, 217201(2003).
8. S. Li, W. S. Lew, J. A. C. Bland et al. Magnetic domain confinement by anisotropy modulation Phys. Rev. Lett. 88, 87202 (2002).
9. S. Li, W. S. Lew, J. A. C. Bland et al. Spin-engineering magnetic media Nature 415, 600(2002).
10. S. Li, D. Peyrade, M. Natali et al. Flux closure structures in cobalt rings Phys. Rev. Lett. 86, 1102(2001).

代表專利：
1. S. Li, C. Newsome, T. Kugler and D. Russel, Method of fabricating a desired pattern of electronically functional material, US2005250244.
2. S. Li, T. Kugler, C. Newsome and D. Russel, A self-aligning patterning method for use in the manufacture of a plurality of thin film transistors,US2006128076.
3. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, A patterning method for fabricating high-resolution structures, US2006194444.
4. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, Organic electronic device fabrication by micro-embossing, US2006/0280021.
5. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, Thin film transistor and method for fabricating an electronic device,US2007/0082438.
6. S. Li, C. Newsome, D. Russel,T. Kugler,and D. Russell,Patterning of electronic devices by brush painting onto surface energy modified substrates, US2007/0105396
7. S. Li and I. Masaya, Electrochemical cell and method of manufacture, US2007119048.
8. S. Li, C. Newsome, D. Russel and T. Kugler, Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures with multi-leveled thickness contrast, US2007287270.
9. S. Li, C. Newsome and D. Chu, Novel methods of bank structure fabrication for ink-jet printing,US2008006161.
10. S. Li, C. Newsome and D. Chu, Method for forming surface energy difference bank, patterning method, bank structure, electronic circuit, electronic device, and electronic apparatus, US2008017606 (A1).



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