2020年衡陽師范學(xué)院模擬電子技術(shù)研究生考試大綱 正文

一、試卷結(jié)構(gòu)
1) 試卷成績及考試時間
本試卷滿分為100分，考試時間為90分鐘。
2) 答題方式
答題方式為閉卷、筆試。
3) 試卷內(nèi)容結(jié)構(gòu)
模擬電子技術(shù)　 100%
4) 題型結(jié)構(gòu)及比例
A. 簡答、論述題： 50%
B. 計算、分析題： 50%
二、考試內(nèi)容與考試要求
1、緒論
（一）考試內(nèi)容
模擬信號、放大電路的主要性能指標(biāo)
（二）考試要求
（1）理解模擬信號的特點；
（2）理解放大電路的主要性能指標(biāo)。
2、運算放大器
（一）考試內(nèi)容
理想運算放大器
（二）考試要求
（1）理解理想運算放大器的特點及虛短、虛斷的概念；
（2）掌握比例運算電路、求和運算電路。
3、二極管及其基本電路
（一）考試內(nèi)容
半導(dǎo)體、PN結(jié)、二極管
（二）考試要求
（1）理解本征半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體及PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕?br /> （2）掌握二極管的原理、參數(shù)及基本應(yīng)用電路。
4、雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)
（一）考試內(nèi)容
BJT、共發(fā)射極和共集電極放大電路
（二）考試要求
（1）理解BJT的放大原理、特性曲線；
（2）掌握共射、共集放大電路的靜態(tài)分析和動態(tài)分析。
5、場效應(yīng)管放大電路
（一）考試內(nèi)容
FET及其放大電路
（二）考試要求
（1）理解FET的結(jié)構(gòu)和分類；
（2）理解FET與BJT的區(qū)別、MOSFET的主要參數(shù)。
6、模擬集成電路
（一）考試內(nèi)容
差分放大器、集成運算放大器
（二）考試要求
（1）理解零點漂移的概念、差分放大電路的特點；
（2）理解共模信號、差模信號、實際運放的主要參數(shù)。
7、反饋放大電路
（一）考試內(nèi)容
負反饋放大器
（二）考試要求
（1）理解負反饋的概念及對放大電路性能的影響；
（2）掌握負反饋的組態(tài)判斷及深度負反饋放大電路的估算。
8、功率放大電路
（一）考試內(nèi)容
OCL功率放大器
（二）考試要求
（1）理解功率放大電路的特點；
（2）理解乙類放大電路的交越失真及其消除方法；
（3）掌握OCL功放的功率、效率計算。
9、信號處理與信號產(chǎn)生電路
（一）考試內(nèi)容
濾波器、電壓比較器、正弦波振蕩器
（二）考試要求
（1）理解濾波電路的分類；
（2）理解電壓比較器的分析方法；
（3）掌握正弦振蕩的條件及RC、LC振蕩器。
10、直流穩(wěn)壓電源
（一）考試內(nèi)容
整流、濾波、穩(wěn)壓電路
（二）考試要求
（1）理解直流穩(wěn)壓電源的組成、串聯(lián)式穩(wěn)壓電路的原理；
（2）掌握整流、濾波電路的工作原理及參數(shù)計算。
三、參考書目
[1].康華光.《電子技術(shù)基礎(chǔ)：模擬部分》（第五版）.高等教育出版社，2006
 

衡陽師范學(xué)院

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